【锐界汽车图片】长安福特
- 6月25日，香港特区政府创新科技局辖下创新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工业加速计划」申请已获得评审委员会批准。获批项目涉及在香港兴建宽禁带半导体碳化硅 （SiC） 晶圆制造设施。项目总预算超过 7 亿港元，将获得 2 亿港元的「新产业加速计划」资助。这笔资金预计将大大提升香港的先进半导体制造能力，并加速其在宽禁带半导体领域的发展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注册成立，并于 2024 年 6 月正式开始运营，同时
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香港 8英寸 SiC 晶圆厂
- 9月24日，Resonac（原昭和电工）在官网宣布，其与Soitec签署了一项合作协议，双方将共同开发用于功率半导体的8英寸碳化硅键合衬底。在这次共同开发中，Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。键合技术加速碳化硅8英寸转型据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC?技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶衬底，将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底，然后将单晶衬底分割成薄膜，从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆，由此显著提
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- 近日，我国在8英寸碳化硅领域多番突破，中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付，天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来，未来将会有更多厂商带来新的产品和技术，我们拭目以待。关键突破！中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级近日，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。图片来源：中国电科据中国电科官方消息，碳化硅外延炉是第三代半导体碳化硅器件制造的核心装备之一。此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延
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- 英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能?8?英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事
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- 6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。资料显示，优晶科技成立于2010年12月，专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型——UKIN
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- 近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
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- 罗姆半导体（Rohm）株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要供该公司内部使用，预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。据悉，宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分，罗姆计划在2021-2025年为SiC业务投入1700亿-2200亿日元（折合人民币约82亿元-107亿元）。对于包括罗姆在内的众多SiC功率半导体玩家而言，再怎么加大投资、提升SiC衬底产能都不过分。一方面，近年来，衬底材料短缺
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- 11月4日，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动，此举旨在攻关半导体材料端关键核心技术，最终实现国产替代。据悉，此次签约项目总投资达21.2亿元。据晶盛机电介绍，公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。碳化硅作为第三代半导体代表
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- 碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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- 近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC
MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安
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- 近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶盛机电已完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产；天科合达计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产，同时该公司在5月与半导体大厂英飞凌签订碳化硅长期供应协议。近期，科友半导体传来了新消息。6月22日，科友半导体官微宣布其突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度
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- IQE?plc（AIM 股票代码：IQE，以下简称“IQE”或“集团”）全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商，近日宣布将推出全新 8英寸 (200mm) 红、绿、蓝三色（ “RGB”）外延晶圆产品组合，供 microLED 显示器认证。??MicroLED?以氮化镓 (GaN) 和砷化镓 (GaAs) 半导体为基底，是一种极具颠覆性的全新显示器技术，正设计用于多种新平台，例如可穿戴技术、AR/VR 耳机和大型显示器。 IQE 的 GaN 和 GaA
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- 近日，美国激光技术与加工系统供应商Coherent和三菱电机宣布，双方已签署一份谅解备忘录 （MOU）并达成项目合作，将在200毫米技术平台上扩大SiC电力电子产品的规模化生产。三菱电机宣布在截至2026年3月的五年内投资约2600亿日元。其中，大约1000亿日元将用于建设基于200mm技术平台的SiC功率器件新工厂，并加强相关生产设备。根据谅解备忘录，Coherent将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件开发200毫米n型4H SiC衬底。资料显示，Coherent于1966年成立于美国加利福尼亚
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- 据《电子时报》报道，有IC设计业者表示，台积电将再调涨8英寸成熟制程代工报价，12英寸成熟与先进制程则还在评估中。产业链方面的消息显示，台积电虽然计划提高8英寸晶圆代工服务的价格，但并不会立即生效，新的价格预计在三季度开始实施。由于供应链等问题的影响，全球一直在却芯，代工芯片制造商纷纷宣布上调代工费，半导体价格也始终在攀升。去年9月份，台积电通知客户所有芯片的代工价格最高上涨20%。其中，7nm制程技术的报价上涨3%-10%，12nm以上的成熟型制程涨价上涨20%。在台积电目前的收入中，12英寸晶圆代工服
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- 据国外媒体报道，半导体行业是今年为数不多的并未受到明显影响的行业，特别是半导体制造，主要厂商今年的营收有明显增长，部分生产线的产能也非常紧张。在此前的报道中，外媒已提到，台积电等芯片代工商的8英寸晶圆厂产能紧张，代工商已经提高了代工报价，上调幅度在10%到20%之间。而外媒最新援引产业链方面的消息报道称，8英寸晶圆厂产能紧张的状况，还将持续一段时间，目前预计会持续到2021年。从产业链人士透露的消息来看，8英寸晶圆厂产能紧张，主要是显示驱动芯片和电源管理芯片需求强劲。如果产业链这一人士透露的消息准确，8英
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