贸泽电子连续第四年蝉联TE年度全球卓越服务分销商奖
安森美位于韩国富川的先进碳化硅超大型制造工厂的扩建工程已经完工，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200mm SiC晶圆。10月25日消息，安森美发布消息称，其位于韩国富川的先进碳化硅（SiC）超大型制造工厂的扩建工程已经完工，目标明年完成设备安装，到2025年该厂SiC半导体产量预计将增至每年100万颗。富川SiC生产线目前主力生产150mm晶圆，在2025年完成200mm SiC工艺验证后，将转为生产200mm晶圆。为了支持SiC产能的提升，安森美计划在未来三年内雇佣多达1000名当地员工来填补大部分高
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安森美 韩国 碳化硅
10月24日，安森美宣布其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200mmSiC晶圆。据介绍，新的150mm/200mmSiC先进生产线及高科技公用设施建筑和邻近停车场于2022年中期开始建设，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圆厂的扩建，体现了安森美致力于在棕地（既有地点）建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。富川SiC生产线目前主力生产150mm晶圆开始，在2025年完成200mmSiC工艺验
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安森美 碳化硅
2023 年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。在碳化硅（SiC）晶体生长领域，中国尤其获得国际 IDM 的认可，导致产量大幅增长。此前中国碳化硅材料仅占全球约 5% 的产能，然而业界乐观预计，2024 年中国碳化硅晶圆在全球的占比有望达到 50%。天岳先进、天科合达、三安光电等公司均斥资提高碳化硅晶圆/衬底产能，目前这些中国企业每月的总产能约为 6 万片。随着各公司产能释放，预计 2024 年月产能将达到 12 万片，年产能 150 万。根据行业消息和市调机构的统计，此前天岳先进、天科合达合计占据全球
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碳化硅 晶圆
日前，瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重举行的2023中国国际半导体高管峰会（ISES，原CISES）。作为半导体原厂和设备制造商云集的平台，ISES专注于高层管理，来自世界各地的半导体领域高管和领袖受邀聚集于此，旨在探讨行业的未来趋势和挑战，分享他们如何在迅速创新和变化的行业中推动技术进步。ISES通过推动整个微电子供应链的创新、商业和投资机会，为半导体制造业赋能，促进中国半导体产业的发展。在峰会以“宽禁带功率半导体在汽车应用中的机遇”为主题的单元中，Markus Mose
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瑞能 ISES CHINA 2023 碳化硅 新能源汽车
2023年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。 在碳化硅（SiC）晶体生长领域，尤其得到国际IDM厂商的认可，中国厂商产能大幅提升。 此前，来自中国的SiC材料仅占全球市场的5%。 然而，到2024年，预计将抢占可观的市场份额。该领域的主要中国公司，包括SICC、TankeBlue和三安，几乎都将产能扩大了千倍。我国大约有四到五家从事SiC晶体生长的龙头企业，为测算我国SiC晶体生长产能提供了依据。 目前，他们的月产能合计约为60,000单位。 随着各公司积极增产，预计到2024年月产能将达到12万单位
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SiC 碳化硅
英飞凌、现代汽车和起亚汽车三方发布官方声明称，已签署一项多年期碳化硅和硅功率半导体供应协议。据外媒，10月18日，英飞凌、现代汽车和起亚汽车三方发布官方声明称，已达成战略合作，签署一项多年期碳化硅和硅功率半导体供应协议，以确保功率半导体的供应。根据战略合作协议，英飞凌将在2030年前向现代、起亚供应碳化硅和硅功率模块与芯片，而现代、起亚则会出资支持英飞凌的产能建设与储备，三方也计划在提升电动汽车的性能上紧密合作。
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英飞凌 现代 起亚 碳化硅 硅功率模块
10月16日，根据韩媒ETNEWS的报道，三星电子近期聘请安森美半导体前董事洪锡俊(Stephen Hong)担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其内部组织了SiC功率半导体业务V-TF部门。Stephen Hong是功率半导体专家，在加入三星电子之前，曾在英飞凌、仙童、安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作约25年。目前，Stephen Hong正在寻找SiC商业化的团队成员，同时通过与韩国功率半导体产业生态圈和学术界互动，进行市场和商业可行性研究。早先三星宣布正式进军GaN业务的时候也曾提
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三星 碳化硅！
碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录，设立以第三代半导体为主的全球研发中心。大半导体产业网消息，10月13日，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。据悉，该项目总投资额约69亿港元，计划到2028年年产24万片碳化硅晶圆，带动年产值超过110亿港元，并创造超过700个本地和
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晶圆 碳化硅 第三代半导体
由创新科技及工业局和引进重点企业办公室共同推动，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。香港特区政府创新科技及工业局去年公布的《香港创科发展蓝图》中，明确指出应加强支持具策略性的先进制造产业发展，譬如半导体芯片，促进香港「新型工业化」的发展。作为全球最大的半导体进出口市场之一，香港更是位处大
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Denso和三菱电机宣布将分别投资5亿美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司。据外媒，日本电装株式会社(Denso)和三菱电机宣布，将分别投资5亿美元，入股美国半导体材料、网络及激光供应商Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司Silicon Carbide，并分别取得12.5%股权（两家日企合计取得25%股权）。据悉，Silicon Carbide主要从事SiC晶圆等产品的制造，是于2023年4月从Coherent公司分拆出来设立的SiC业务子公司。Denso与三菱电机将向该公司采购
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随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动系统、直流快速充电、储能电站、不间断电源和太阳能发电。这些应用有一点非常相似，它们都需要逆变器（图 1）。它们还需要紧凑且高能效的轻量级解决方案。就汽车而言，轻量化是为了增加续航里程，而在太阳能应用中，这是为了限制太阳能设备在屋顶上的重量。图 1.典型的 EV 动力总成，其中显示了逆变器半导体损耗决定逆变器效率的主要因素之一是所使用的半导体器件（IGBT /
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在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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碳化硅 SiC
近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC
MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安
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随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断提升，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，根据国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，高速发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅增长71.1%。图1：全社会用电量统计（图源：贸泽电子）各行业电气化进程逐渐深入后，我们也必须要考虑到一个严峻的问题，那就是节能。当前，任何一种用电设备在设计之初，都会将高能效和低能
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Mouser 碳化硅 功率器件
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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